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Böcker, Jan

Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung

ISBN 978-3-7983-3141-9 (print) In Warenkorb legen

ISBN 978-3-7983-3142-6 (online) Online Lesen

viii, 191 Seiten

Erschienen 2020

Preis: 15,00 EUR

Elektrische Energietechnik an der TU Berlin (Band 11) (Institut für Energie- und Automatisierungstechnik)

Abstract (Deutsch)

Die Leit- und Schaltverluste eines Leistungshalbleiters haben nach wie vor einen entscheidenden Einfluss auf die Effizienz und die erreichbare Leistungsdichte eines Umrichters. Aktuell zeigen sich AlGaN/GaN-HEMTs vor allem durch ihre hohen Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig ausgezeichneten Leiteigenschaften als aussichtsreiche Kandidaten für eine Reduktion dieser Verluste. In dieser Arbeit werden neuartige GaN-Transistoren charakterisiert und für leistungselektronische Anwendungen optimiert. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der gegenseitigen Anpassung der Halbleitertechnologie und der Schaltungsumgebung.

Abstract (Englisch)

Conduction and switching losses of power semiconductors still have decisive influence on the efficiency and achievable power density of a converter. AlGaN/GaN HEMTs are promising reduction of these losses due to their very high switching speeds and excellent conductivity. In this work novel GaN transistors are characterized and optimized for power electronic applications. The focus is on the mutual adaptation of the semiconductor technology and the circuit environment.

Schlagworte

Leistungselektronik, GaN-HEMT, Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter,
power electronics, high electron mobility transistor, wide bandgap semiconductor, converter

Volltext online

Frei im institutionellen Repositorium der TU Berlin (Deposit Once):

https://dx.doi.org/10.14279/depositonce-9678

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